저잡음 증폭기(LNA)

저잡음 증폭기(LNA)

AL33 GaAs MMIC 저잡음 증폭기

MMIC Low Noise Amplifier

AL33 GaAs MMIC 저잡음 증폭기

주요 특징들

● 900MHz에서 잡음 지수 0.4dB
● 900MHz에서 35dBm 출력 IP3
● 0.4GHz~1.5GHz까지 최적의 사용
● 소형 패키지 크기: 2.0 x 2.0 x 0.75mm3
● 단일 5V 공급
● ESD 250V HBM
● MSL: 레벨 1
● 1.5GHz~2.4GHz에서 AL34 사용과 동일한 패키지 및 핀 구성 공유

AL33 GaAs MMIC 저잡음 증폭기

Sanland의 AL33은 경제적이고 사용하기 쉬운 GaAs MMIC 저잡음 증폭기(LNA)입니다. LNA는 0.5um GaAs 강화 모드 pHEMT 프로세스를 사용하여 낮은 잡음과 높은 선형성을 달성했습니다. 이 제품은 소형 2.0 x 2.0 x 0.75mm3 8핀 QFN(Quad-Flat-Non-Lead) 패키지로 제공됩니다. 400MHz에서 최대 1.5GHz까지 최적으로 사용하도록 설계되었습니다. 저잡음, 고이득 및 고선형성과 결합된 컴팩트한 설치 공간과 낮은 프로파일 덕분에 AL33은 GSM 및 CDMA용 셀룰러 인프라를 위한 저잡음 증폭기로서 이상적인 선택입니다.

유형 하류
최소주파수(GHz) 0.4
최대 주파수(GHz) 1.5
게인(dB) 19.4
입력 반사 손실(dB) -16
출력 반사 손실(dB) -12
NF(dB) 0.4
전압(V) 5
전류(mA) 135
포장 종류 QFN
RoHS 규제
무연
할로겐 프리 예 혹은 아니오

 

주요 용도

  • 셀룰러 인프라 및 기타 초저잡음 애플리케이션용 LNA입니다.

 

적용을 위한 전기적 특성

 

매개변수 사양 단위 노트
최소 유형 맥스
주파수 0.4   1.5 GHz  
얻다 17.5 20.3 21   800MHz
19.7 850MHz
19.4 900MHz
P-1dB 20 22.1     800MHz
20 22.1 850MHz
20 22.2 900MHz
OIP3 33 34.5     800MHz
33 34.8 850MHz
33 35 900MHz
입력 반품 손실   -15 -10   800MHz
-15 -10 850MHz
-16 -10 900MHz
산출 반품 손실   -12 -10   800MHz
-12 -10 850MHz
-12 -10 900MHz
NF   0.4 0.55   800MHz
0.4 0.55 850MHz
0.4 0.55 900MHz
역격리   -28     800MHz
-27 850MHz
-27 900MHz
Vs   5 5.5 V  
IC 40 55 80 mA  
테스트 조건: VDD=5V, IDD=55mA 일반. OIP3 톤 간격=1MHz, 톤당 Pout=+5dBm TL=25℃, ZS=ZL=50옴

 

 

 

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