저잡음 증폭기(LNA)

저잡음 증폭기(LNA)

SG207 DOCSIS 업스트림 및 다운스트림 GaAs pHEMT RF 증폭기 IC

SG207 GaAs pHEMT single-ended RF amplifier IC in 3 × 3 QFN package

SG207 DOCSIS 업스트림 및 다운스트림 GaAs pHEMT RF 증폭기 IC

주요 특징

● 5MHz ~ 1800MHz 작동
5V 및 7V 작동
● 이득: 21dB (일반적)
● 잡음 지수: 1.6dB @ 1800MHz
● OIP3: 7V에서 일반적인 값 39dBm
OP1dB: 7V에서 일반적인 값 23dBm
● 업스트림 애플리케이션: 5MHz ~ 684MHz
● 하위 응용 분야: 47MHz ~ 1800MHz
● 3 × 3 QFN 패키지
● RoHS 규정 준수

Sanland의 SG207은 DOCSIS 3.1 및 DOCSIS 4.0 업스트림 및 다운스트림 애플리케이션용으로 설계된 GaAs pHEMT 단일 종단 MMIC RF 증폭기 IC입니다. 이 장치는 5MHz~684MHz의 업스트림 동작과 47MHz~1800MHz의 다운스트림 동작을 지원하며, 21dB의 일반적인 이득, 낮은 잡음 지수 및 높은 선형성을 컴팩트한 3×3 QFN 패키지에 제공합니다. 5V 또는 7V 단일 전원으로 구동되는 SG207은 광 노드, 헤드엔드 CMTS 장비, FTTH GPON/GEPON, 케이블 모뎀, 홈 게이트웨이 및 단일 종단 이득 블록 애플리케이션에 적합합니다.

SG207 GaAs pHEMT RF amplifier typical upstream and downstream application circuit for 5 MHz to 1.8 GHz 75Ω broadband CATV systems

  • 다운스트림 애플리케이션, 47–1800MHz
매개변수+5V 일반값+7V (일반적인 값)
빈도47–1800MHz47–1800MHz
공급 전류71mA101 mA
얻다21dB21.4dB
이득 기울기1dB1dB
역방향 격리25dB25dB
입력 반환 손실18dB20dB
출력 반환 손실20dB20dB
잡음 지수1.0 / 1.6 dB1.0 / 1.6 dB
오이피336dBm39dBm
OP1dB20dBm23dBm
열 저항57℃/W57℃/W

 

  • 업스트림 애플리케이션, 5~700MHz
매개변수+5V 일반값+7V (일반적인 값)
빈도5–700MHz5–700MHz
공급 전류70mA100mA
얻다21dB21.3dB
이득 기울기0.2dB0.2dB
역방향 격리23dB23dB
입력 반환 손실21dB22dB
출력 반환 손실20dB19dB
잡음 지수0.9 / 1.0 dB0.9 / 1.2 dB
오이피335dBm40dBm
OP1dB20dBm23dBm
열 저항57℃/W57℃/W

SG207은 케이블 네트워크 인프라 및 사용자 장비용 DOCSIS 업스트림 및 다운스트림 광대역 RF 애플리케이션을 지원합니다.

  • DOCSIS 3.1 / DOCSIS 4.0 네트워크
  • 업스트림 애플리케이션
  • 다운스트림 애플리케이션
  • 광학 노드
  • 헤드엔드 CMTS 장비
  • 케이블 모뎀 및 홈 게이트웨이

SG207 GaAs pHEMT RF amplifier for DOCSIS 3.1 and DOCSIS 4.0 upstream and downstream applications, optical nodes, CMTS equipment, cable modems and home gateways

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