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MMIC-SG101 mmic 선형 증폭기

주요 특징들 ● 높은 선형성: +43dBm OIP3 ● 넓은 대역폭: 45~1218MHz ● P1dB: 26dBm ● 저잡음: 2.0dB ● 입력 출력 75Ω 일치 ● 단일 전원 공급 장치: +8V

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SG106 저잡음 MMIC 증폭기

주요 특징들 ● 최대 1.2GHz의 광대역 평면 이득 ● 더 높은 이득: 일반 19개 ● 더 높은 선형성: 30dBm @ 500MHz/5dBm 2톤 ● SOT-89 패키지 ● -58dBc CSO 135개 채널 @ + 15dBmV/ch ● -80dBc CTB 135개 채널 @ + 15dBmV/ch ● -81dBc XMD 135개 채널 @ + 15dBmV/ch

핫 태그 : GaAs MMIC 전력 증폭기 계단식 MMIC 증폭기 마이크로파 전력 증폭기 MMIC 모듈 증폭기 증폭기 모듈 집적 회로
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SG110 다중 애플리케이션 드라이버 증폭기

주요 특징들 ● 최대 1.2GHz의 광대역 평면 이득 ● 더 높은 이득: 일반 23.5 ● 더 높은 선형성: 35dBm @ 500MHz/5dBm 2톤 ● SOT-89 패키지 ● -60dBc CSO 135개 채널 @ + 15dBmV/ch ● -70dBc CTB 135개 채널 @ + 15dBmV/ch ● -80dBc XMD 135개 채널 @ + 15dBmV/ch

핫 태그 : CATV용 저잡음 증폭기 mmic 드라이버 증폭기 gan mmic 파워 앰프 집적 회로 증폭기 모듈 RF 증폭기
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MMIC-SG800 출력단 증폭기

주요 특징들 ● 더 높은 선형성 ● 낮은 왜곡 ● 저잡음 지수: 2.5dB ● 20dB 게인 ● 단일 +8V 공급 ● 넓은 대역폭: 50MHz~1.218GHz ● SOIC-8 패키지 옵션

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SG850 고성능 InGaP HBT MMIC 증폭기

주요 특징들 ● 0.05-4G, 캐스케이드 가능 ● 액티브 바이어스 InGaP/GaAS HBT 증폭기 ● 4GHz까지의 광대역 평면 이득 ● IP3=40dBm@1218MHz ● P1dB=23dBm@1218MHz ● 단일 +5V 공급 ● 1000V ESD, 클래스 IC ● MSL 1 수분 등급

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SG204 1.8GHz GaAs pHEMT RF 증폭기 IC

주요 특징 ● 50MHz ~ 1800MHz 작동 ● 5V 작동 ● 이득: 22.4dB (일반적) ● P1dB: 21dBm ● OIP3: 38dBm ● 잡음 지수: 1.7dB @1800MHz ● RoHS 규정 준수

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SG206 1.8GHz GaAs pHEMT 차동 RF 증폭기 IC

주요 특징 ● 5MHz ~ 1800MHz 작동 ● 5V 및 8V 작동 ● 이득: 21.3dB (일반적) ● TCP: 8V에서 66dBmV ● 잡음 지수: 50/1800MHz에서 1.7/3.5dB ● RoHS 규정 준수

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SG207 DOCSIS 업스트림 및 다운스트림 GaAs pHEMT RF 증폭기 IC

주요 특징 ● 5MHz ~ 1800MHz 작동 ● 5V 및 7V 작동 ● 이득: 21dB (일반적) ● 잡음 지수: 1.6dB @ 1800MHz ● OIP3: 7V에서 일반적인 값 39dBm ● OP1dB: 7V에서 일반적인 값 23dBm ● 업스트림 애플리케이션: 5MHz ~ 684MHz ● 하위 응용 분야: 47MHz ~ 1800MHz ● 3 × 3 QFN 패키지 ● RoHS 규정 준수

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SG126 50MZH-1000MHz 고선형성 전력 증폭기

주요 특징들 ● 높은 선형성: +43dBm OIP3@+8V ● 넓은 대역폭: 50-1000MHz ● P1dB: 26dBm @+8V ● 저잡음: 일반 1.8dB ● 입력 출력 75Ω 일치 ● 단일 전원 공급 장치: +5V~+8V

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SG208 1.2GHz 고이득 저잡음 GaAs pHEMT RF 증폭기 IC

주요 특징 ● 47MHz ~ 1218MHz 작동 ●5V 및 8V 작동 ● 이득: 25dB (일반적) ● 잡음 지수: 1.0 dB @ 1200 MHz ● OIP3: 8V에서 일반적인 값 39dBm ●OP1dB: 8V에서 일반적인 값 24dBm ● 단일 종단 이득 블록 ● 3 × 3 QFN 패키지 ● RoHS 규정 준수

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